☆ 4.5 Article

Realization of Ultraviolet Electroluminescence from ZnO Homojunction Fabricated on Silicon Substrate with p-Type ZnO:N Layer Formed by Radical N2O Doping

CHINESE PHYSICS LETTERS (2008)

期刊

CHINESE PHYSICS LETTERS

卷 25, 期 12, 页码 4345-4347

出版社

IOP Publishing

DOI: 10.1088/0256-307x/25/12/045

关键词

类别

Physics, Multidisciplinary

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