Correction

Intrinsic device-to-device variation in graphene field-effect transistors on a Si/SiO2 substrate as a platform for discriminative gas sensing (vol 104, 013114, 2014)

期刊

APPLIED PHYSICS LETTERS
卷 104, 期 14, 页码 -

出版社

AMER INST PHYSICS
DOI: 10.1063/1.4864791

关键词

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