4.8 Article

Toward High-Performance Top-Gate Ultrathin HfS2 Field-Effect Transistors by Interface Engineering

期刊

SMALL
卷 12, 期 23, 页码 3106-3111

出版社

WILEY-V C H VERLAG GMBH
DOI: 10.1002/smll.201600521

关键词

-

资金

  1. National Natural Science Foundation of China [21373065, 61474033]
  2. 973 Program of the Ministry of Science and Technology of China [2012CB934103]
  3. CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication
  4. Youth Innovation Promotion Association CAS

向作者/读者索取更多资源

作者

我是这篇论文的作者
点击您的名字以认领此论文并将其添加到您的个人资料中。

评论

主要评分

4.8
评分不足

次要评分

新颖性
-
重要性
-
科学严谨性
-
评价这篇论文

推荐

暂无数据
暂无数据